Authors： Shohiro Sho1, Nobuya Mori1, Daisuke Furihata2

Affiliation：1. Graduate school of engineering, Osaka University,2. Cybermedia Center, Osaka University　

Abstract：次世代の3次元構造を持つ新材料半導体デバイスの開発に向けて, 新材料を用いたデバイスの輸送特性をデバイスシミュレーションによって予測する。
新材料として期待されているIII-V族半導体(InGaAs, GaSb)をチャネル材料に持ったFinFETの短チャネル効果のシミュレーション解析を行った。
III-V族FinFETでは, Finの構造により, ドレイン電界による障壁低下効果はSiと同程度であるが, サブスレッショルド係数は, 有効質量・誘電率の違いにより量子閉じ込め効果の度合いが変化することで劣化することを明らかにした。

 

Publication related to your research:
（International conference paper）

• S. Sho and S. Odanaka, "A hybrid MPI/OpenMP parallelization method for a quantum drift diffusion model," SISPAD 2017, September 7-9.

 

（Domestic conference/workshop）

• 鍾　菁廣，森　伸也，廣⽊ 彰，⼩⽥中 紳⼆，"量⼦ドリフト拡散モデルによるⅢ-Ⅴ族FinFETの短チャネル効果解析"，第65回応用物理学会春季学術講演会，2018年3月.
• 鍾　菁廣，森　伸也，小田中 紳二，"HiQHD コードを用いた新材料FinFET の短チャネル効果解析"，第3回ポスト「京」重点課題（7）研究会，2017年12月.