Affiliation：Joining and Welding Research Institute, Osaka University

Abstract：半導体デバイスの接合において固相接合が用いられている。本研究では、上記技術における原子スケールでの接合機構の解明を目的とし、Cu-Cu接合における分子動力学計算を行い、接合界面を形成する結晶方位関係が接合性に影響することを解明した。また、Cu-Si3N4界面における第一原理計算により剥離エネルギーを導出することによって、有望な接合界面構造を見出した。

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（Journal paper）

• Hiroaki Tatsumi*, C.R. Kao, Hiroshi Nishikawa,
  "Impact of crystalline orientation on Cu-Cu solid-state bonding behavior by molecular dynamics simulations",
  Scientific Reports, 13, 23030 (2023)