Authors：Daisuke Katase, Hajime Shimakawa, Ruan Haoou, Takahiro Umemoto, Masahiro Sato

Affiliation：The University of Tokyo, Department of Electrical Engineering and Information Systems

Abstract：高分子絶縁材料の電気的特性の向上のため，無機ナノフィラーを添加したナノコンポジット絶縁材料が近年注目を集めている。本研究では第一原理計算によって高分子/無機フィラー界面における電荷の挙動を明らかにし，コンポジット化による電気的特性発現のメカニズムを解明することを目的とし，Quantum Espresso，BerkeleyGWを用いて複数の無機フィラー/高分子界面モデルについて第一原理計算を行った。界面での正孔トラップ深さの計算結果は実験的に得られた既存の各種コンポジット材料の電気的特性と整合が取れていた。また，フィラーの表面修飾基の変化によって正孔トラップ深さを変化させられることが明らかとなった。