Affiliation：Graduate School of Engineering, Osaka University

Abstract：SiCは物性・加工・デバイス技術が成熟しており、スピン量子光源のホスト材料として有望である。本研究では、HSE06汎関数を用いた第一原理計算によりSiC中の酸素関連欠陥を調査した。具体的には置換型酸素と空孔・アンチサイトが結合した欠陥の安定構造や形成エネルギー、電子準位を解明した。また、有望な欠陥に焦点を当て、スピン・光学特性の理論計算を実施した。特にSiC中のOCVSi中心がS=1のスピンを有するとともに、強い近赤外の発光を示し、スピン量子光源として有望であることを理論予測した。

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（Journal paper）

• Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe,
  "Oxygen-vacancy defect in 4H-SiC as a near-infrared emitter: An ab initio study",
  Journal of Applied Physics, Vol.134, No.14, pp. 145701-1-145701-9 (2023).

（Etc）

• Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe,
  “Ab initio study of oxygen-vacancy defect in 4H-SiC: A potential qubit”,
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2023),
  Sorrento, Italy, Sep. 2023.

• 岩本 蒼典, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真,
  “第一原理計算に基づく 4H-SiC 中酸素関連欠陥の系統的調査”,
  第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京, 日本, 2024年3月.