Author：Hiroaki Tatsumi
Affiliation：The University of Osaka
Abstract：接合プロセスにおいて、界面近傍の原子は拡散・反応・再配列といった複雑な動的挙動を示し、これが接合部の微細構造や信頼性を支配する。本研究では、DFT第一原理計算や分子動力学計算を活用し、接合界面における結晶粒の配向変化や粒界移動などの素過程を原子スケールで評価した。

 

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（Journal paper）

• Hiroaki Tatsumi, Shunya Nitta, Atsushi M. Ito, Arimichi Takayama, Makoto Takahashi, Seongjae Moon, Eiki Tsushima, Hiroshi Nishikawa, "Experimental and first-principles insights into Ti-mediated Cu–Si3N4 interfaces for high-reliability electronic substrates", Acta Materialia, Vol.304, p.121813, 2026.