Affiliation：Department of Materials Physics, Nagoya University

Abstract：DFT計算を用いて，化合物半導体GaPを対象にすべり転位の転位コア構造を解析した．また得られた安定構造に対してNEB法を用いることで，すべり転位の運動経路の探索とその障壁高さを求めた．計算の結果，GaPのすべり転位はSiの先行研究で報告されているコア構造と類似したコア構造を持つことが分かった．またこれらの転位コアは，バンドギャップ中にコア中心の同種間結合に起因する非常に深い欠陥準位を形成した．NEB法を用いて運動障壁を見積もると，非常に高い運動障壁が得られた．このような高い運動障壁はGaPの持つ強固な共有結合性に起因していると考えられる．

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