Authors：Nobuya Mori, Yuma Kajiwara, Shintaro Makihira, Sungwoo Kim
Affiliation：Graduate School of Engineering, Osaka University

Abstract：極めて微細な半導体素子において，量子力学的な効果が，デバイス特性に与える影響を調べることを目的とした．

非平衡グリーン関数法を用いた電子・フォノンの連成輸送計算，Barker-Ferry方程式を用いた高電界輸送特性解析，量子ドリフト拡散モデルに基づくナノシートトランジスタのシミュレーションを行った．

電子・フォノン連成シミュレーションでは，ドラッグ効果によるフォノン熱コンダクタンスの変化を確認した．また， Barker-Ferry方程式を零固有値問題に帰着して解くことに成功した．さらに，ナノシートトランジスタのシミュレーションを行った結果，古典的な手法では，電子は周辺部に多く分布するが，量子論では，中央に多く分布することなどが分かった．

 

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（Journal paper）

• Y. Kajiwara and N. Mori, "Nonequilibrium Green function simulation
  of coupled electron-phonon transport in one-dimensional
  nanostructures," Japanese Journal of Applied Physics (in print).
• S. Makihira and and N. Mori, "Intra-collisional field effect in
  one-dimensional GaN nanowires," Japanese Journal of Applied Physics
  (in print).