Simulation of Ultra-small Semiconductor Devices
Authors:Nobuya Mori, Yuma Kajiwara, Shintaro Makihira, Sungwoo Kim
Affiliation:Graduate School of Engineering, Osaka University
Affiliation:Graduate School of Engineering, Osaka University
Abstract:極めて微細な半導体素子において,量子力学的な効果が,デバイス特性に与える影響を調べることを目的とした.
非平衡グリーン関数法を用いた電子・フォノンの連成輸送計算,Barker-Ferry方程式を用いた高電界輸送特性解析,量子ドリフト拡散モデルに基づくナノシートトランジスタのシミュレーションを行った.
電子・フォノン連成シミュレーションでは,ドラッグ効果によるフォノン熱コンダクタンスの変化を確認した.また, Barker-Ferry方程式を零固有値問題に帰着して解くことに成功した.さらに,ナノシートトランジスタのシミュレーションを行った結果,古典的な手法では,電子は周辺部に多く分布するが,量子論では,中央に多く分布することなどが分かった.
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(Journal paper)
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Y. Kajiwara and N. Mori, "Nonequilibrium Green function simulation
of coupled electron-phonon transport in one-dimensional
nanostructures," Japanese Journal of Applied Physics (in print). -
S. Makihira and and N. Mori, "Intra-collisional field effect in
one-dimensional GaN nanowires," Japanese Journal of Applied Physics
(in print).
Posted : March 29,2019