Simulations of strongly-correlated electron states realized in semiconductor and oxides

 

Authors:Koichi Kusakabe

Affiliation:Graduate School of Engineering Science, Osaka university

Abstract:エキシトン状態や酸化物中の強相関電子状態を、有効相互作用をもつ強結合模型を組み合わせて表現する多配置参照密度汎関数理論(MRDFT)での有効相互作用の評価方法を開発し、実施例を与えることを目的とした。そのため、絶縁性有機結晶と銅酸化物での有効相互作用決定のための、基礎データを与えた。結果として、準粒子励起間の遮蔽相互作用もMRDFTで定義できることを確認した。Nd2CuO4でのf電子でも多重項ごとのワニエ状態の広がりにより大きくUfの値が変わることを明らかにした。

 

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  • 玉垣侑也,草部浩一,寺西慎伍,西口和孝,“Nd2CuO4における3d/4f局在電子軌道の第一原理有効ハミルトニアンの理論的評価” 応用物理学会2016年第66回応用物理学会春季学術講演会11p-S423-7
  • Yusuf Wicaksono, Halimah Harfah, Koichi Kusakabe,“In-plane Magnetoresistance of Graphene in Ni/Graphene/Ni Spin-valve-like Structure: A New Prospective of Spin-logic Device” 応用物理学会2016年第66回応用物理学会春季学術講演会11p-M101-20
  • Halimah Harfah, Yusuf Wicaksono, Muhammad Aziz majidi, Koichi Kusakabe,“Influence of Stacking Arrangement of the 2D Materials-Based Spin Valve on Magnetoresistance Performance: A First Principles Study of Ni/hBN/Ni Spin Valve” 応用物理学会2016年第66回応用物理学会春季学術講演会11p-M101-21

 




Posted : March 29,2019