Affiliation：Department of Mechanical Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University

Abstract：半導体デバイスの性能および生産性向上のため，基板材料であるシリコンウェーハの両面研磨加工では表面を高平坦に仕上げる，すなわち厚さむらを極めて小さくすることが強く求められている．そこで本研究では，ウェーハ－研磨パッド間およびウェーハ－キャリアホール内壁間の摩擦と，ウェーハ－研磨パッド間の圧力分布を考慮した両面研磨加工モデルを構築し，そのモデルを用いて加工条件を最適化し，実際に厚さむらを安定して抑制できることを加工実験により明らかにした．