Author：Yuji Hamamoto
Affiliation：Okayama Prefectural University
Abstract：極薄かつ低消費電力の半導体材料として期待されているSi単層シートは、従来Ag表面上の真空蒸着法で合成されてきた。近年Au薄膜を用いた偏析法でより容易にSi単層シートの合成が可能であることが分かったが、前者と異なる平坦な構造の詳細は未解明であった。本研究では、密度汎関数法と機械学習を組み合わせた効率的な構造探索手法を用いてAu薄膜上のSi単層シートの安定構造の決定を試みた。その結果、Au薄膜にわずかにケイ素化しSi単層シートに空孔が含まれる場合、平坦構造と下地のSi表面に対する回転角が実験結果を再現することが分かった。