Author：Kouji Inagaki
Affiliation：The University of Osaka
Abstract：Si/O/H系の界面構造をデータとした機械学習ポテンシャルの作成を試行した。元素数の増加により複雑性が増し、計算を破錠させないポテンシャルを生成するにはデータが不足しており、さらなるデータが要求されることが分かった。第一原理計算により歪Siの水によるエッチング過程を解析した。

 

Publication related to this research
（Domestic conference/workshop）

• 松永　耀、有馬健太、稲垣耕司, "第一原理計算を用いた TiN エッチング中の表面酸化膜の構造解析−表面終端構造および最表面の酸化構造−", 2025年度精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集, F02, 2025年9月17日.
• 京田晴菜、Fitriana Syafira Az Zahrah、有馬健太、稲垣耕司, "第一原理計算を用いた Si(111) 表面上への Ag の吸着構造解析−制御性に優れたAg ナノワイヤの形成に向けて−", 2025年度精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集, F08, 2025年9月17日.
• 金堂真太郎、有馬健太、稲垣耕司, "第一原理計算によるSiO2 上 Si 薄膜エッチングにおける基板局所ひずみ依存性の解析", 2026年度精密工学会春季大会学術講演会講演論文集, G89, 2026年3月17日.