原子膜への不純物ドープに関する研究

 

氏名:
藤本義隆

所属:
東京工業大学大学院理工学研究科

概要:
第一原理密度汎関数理論に基づき、グラフェンへのホウ素および窒素をドープした系のエネルギー論やエネルギーバンド構造などを求めた。 その結果、単層よりも二層系グラフェンの方が、ホウ素・窒素ともにドープしやすいことが分かった。また、走査型トンネル電子顕微鏡像は、ホウ素と窒素ドープで異なることが分かった。

 

論文掲載,発表実績:
(学術雑誌掲載論文)

  • Y. Fujimoto, "Formation, Energetics and Electronic Properties of Graphene Monolayer and Bilayer Doped with Heteroatoms", Advances in Condensed Matter Phyics Vol.2015, pp.571490 (2015).
    Y. Fujimoto and S. Saito: “Effects of Strain on Carbon Donors and Acceptors in Hexagonal Boron-Nitride Monolayers”, Physical Review B Vol.93, pp.045402 (2016).

 

(著書)

  • Y. Fujimoto: “First-Principles Computational Design of Graphene for Gas Detection”, Smart Materials for Waste Water Application (Wiley-Scrivener Publishers, USA 2016), pp. 155.

 




Posted : 2016年03月31日