所属：高エネルギー加速器研究機構

概要：２次元強相関電子系の基本モデルであるハバードモデルを用いて、半電子充填の場合にその光学伝導度スペクトルを解析した。特に興味はその最下端構造であり、磁気的相互作用を通じて電子正孔対が束縛されるかどうかである。本研究ではこれを厳密対角化の手法で有効モデルを用いて計算し、考察を行った。その結果、求まった一対の電子正孔対状態の状態数密度(DOS)と、それを最近接状態に投影した局所スペクトル(LDOS)を比較したところ、DOSはほぼ連続状態から始まる。一方、束縛状態に敏感なLDOSはそのやや下側にピークを有し、これは束縛状態の形成を意味する。その束縛エネルギーは0.1T（Tは運動エネルギーのスケール）より小さく、非常に浅い束縛状態であることが示された。