所属：大阪大学 大学院工学研究科

概要：トポロジカル絶縁体表面には高移動度の金属層が形成される。その電荷密度分布が外部摂動により変化する様子を明らかにするため、密度汎関数理論に基づく大規模計算を実施した。2×2×6 quintuple layerのトポロジカル絶縁体を真空層で挟んだスラブ構造を用いて計算を行った。その結果、表面から1 nm以上深くまで表面状態の電荷密度が分布していることが確認された。さらに、外部摂動でその分布が大きく変わる様子を捉えた。本結果は外部摂動により表面状態スイッチングが可能であることを示唆している。