氏名：Hiroaki Tatsumi

所属：Joining and Welding Research Institute, The University of Osaka

概要：近年、半導体部品の高集積化、高電流密度化の要求が高まっている。それに伴い、半導体チップを回路基板に電気的・機械的に接続する接合技術の重要性が増している。半導体部品は、半導体や金属、セラミックなどの多様な異種材料の接合部から構成される。よって、信頼性に優れた半導体部品を実現するうえで、異種材料接合部の界面構造の理解と制御が重要である。そこで本研究では、半導体部品の接合部を対象とし、異種材料の接合界面構造の原子スケールでの理解、接合性の指標となる剥離エネルギーの推定を行う。

 

論文掲載,発表実績:

（国内研究会等発表論文）

• Hiroaki Tatsumi, Shunya Nitta, Atsushi M Ito, Arimichi Takayama, Hiroshi Nishikawa, "Interfacial energy assessment of Cu/Si3N4 joints for power electronics substrate", IIW 2024