氏名：宮本 良之
所属：TASC グラフェン事業部
目的：銅表面上のグラフェンプラズマ気相成長メカニズムを解明する。
内容：メタン分子より発生するラジカル分子を予想し、銅基板との相互作用をシミュレーョンで調べた
結果：シミュレーョンにて CH ラジカルを銅基板に運動エネルギー10eVで衝突させた。 C-H結合分解は容易に起きず、さらに複雑な過程の存在が示唆された。