プラズマ気相法におけるラジカル反応のシミュレーション 氏名:宮本 良之 所属:TASC グラフェン事業部 目的:銅表面上のグラフェンプラズマ気相成長メカニズムを解明する。 内容:メタン分子より発生するラジカル分子を予想し、銅基板との相互作用をシミュレーョンで調べた 結果:シミュレーョンにて CH ラジカルを銅基板に運動エネルギー10eVで衝突させた。 C-H結合分解は容易に起きず、さらに複雑な過程の存在が示唆された。 Posted : 2020年03月29日