氏名：松永 克志
所属：名古屋大学
概要：化合物半導体結晶の塑性変形能は、周囲の光環境により大きく変化する。この起源は、塑性変形の担い手である転位と光との相互作用であると考えられているため、転位の移動度に対する光照射により生成されるキャリアの影響をDFT計算により検討した。その結果、キャリアの有無に依存して、転位コアの安定構造が変化することが明らかとなった。また転位コアの安定構造に依存して、転位の運動障壁が大きく変化することを見出した。これらの結果は、これまでの実験結果を合理的に説明しうるものである。

 

論文掲載,発表実績:
（国際会議会議録掲載論文）

• S. Oi, Y. Ogura, T. Yokoi, K. Matsunaga, "DFT calculations of Peierls potentials of partial dislocations in GaP", The 20th International Conference on Strength of Materials, June 2025, Jun-25.
• K. Matsunaga, S. Oi, S. Hoshino, T. Sato, T. Yokoi, Y. Ogura, "Carrier Induced Structural Change of Dislocation Cores in Inorganic Semiconductors Showing Distinctive Light-Dependent Mechanical Properties", The 20th International Conference on Strength of Materials, Jun-25.

 

（国内研究会等発表論文）

• 大井脩司, 佐藤琢巳, 小椋優, 横井達矢, 松永克志, "GaPにおける部分転位の電子・原子構造とすべり移動度の解明", 日本金属学会 2025年秋期(第177回)講演大会, Sep. 2025.
• 大井脩司, 佐藤琢巳, 小椋優, 横井達矢, 松永克志, "GaPにおける部分転位の電子構造およびすべり移動度に対するキャリアトラップの影響", 第35回日本MRS年次大会, Nov. 2025.